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    BC858B 参数 Datasheet PDF下载

    BC858B图片预览
    型号： BC858B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 小信号PNP晶体管 [SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 47 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第5页  
    BC857/BC858
    热数据
    R
    吨HJ- AMB
    •
    R
    日J- SR
    •
    热阻结到环境
    热阻结底
    最大
    最大
    420
    330
    o
    o
    C / W
    C / W
    •
    安装在陶瓷基板面积= 10 ×8× 0.6毫米
    电气特性
    (T
    例
    = 25
    o
    C除非另有说明）
    SYMB OL
    I
    CBO
    参数
    集电极截止
    电流（I
    E
    = 0)
    测试电导率银行足球比赛s
    V
    CE
    = -30 V
    V
    CE
    = -30 V
    I
    C
    = -10
    µA
    为
    BC857
    为
    BC858
    I
    C
    = -10
    µA
    为
    BC857
    为
    BC858
    I
    C
    = -2毫安
    为
    BC857
    为
    BC858
    I
    C
    = -10
    µA
    为
    BC857
    为
    BC858
    I
    C
    = -10毫安
    I
    C
    = -100毫安
    I
    C
    = -10毫安
    I
    C
    = -100毫安
    I
    C
    = -2毫安
    I
    C
    = -10毫安
    I
    C
    = -10
    µA
    为
    克柔P A
    为
    克柔P B
    I
    C
    = -2毫安
    为
    克柔P A
    为
    克柔P B
    I
    B
    = -0.5毫安
    I
    B
    = -5毫安
    I
    B
    = -0.5毫安
    I
    B
    = -5毫安
    V
    CE
    = -5 V
    V
    CE
    = -5 V
    V
    CE
    = -5 V
    90
    150
    V
    CE
    = -5 V
    110
    200
    180
    290
    150
    6
    2
    1.2
    10
    4
    220
    450
    兆赫
    pF
    dB
    dB
    -0.6
    T
    一个MB
    = 150 C
    -50
    -30
    -50
    -30
    -45
    -30
    -6
    -5
    -0.09
    -0.25
    -0.75
    -0.9
    -0.66
    -0.72
    -0.75
    -0.82
    -0.3
    -0.65
    o
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    -15
    -5
    取消它
    nA
    µA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    （ BR ） CES
    ∗
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    (V
    BE
    = 0)
    V
    （ BR ） CBO
    ∗
    集电极 - 基
    击穿电压
    (I
    E
    = 0)
    V
    （ BR ） CEO
    ∗
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    (I
    B
    = 0)
    V
    （ BR ） EBO
    发射极 - 基
    击穿电压
    (I
    C
    = 0)
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射0：N
    电压
    直流电流摹泉
    V
    CE （SAT）
    ∗
    V
    BE （S AT）
    ∗
    V
    BE（上）
    ∗
    h
    FE
    f
    T
    C
    CB
    NF
    过渡˚F Characteristic低频
    集电极和基
    电容
    噪声系数
    I
    C
    = -10毫安V
    CE
    = -5 V F = 100MHz的
    I
    E
    = 0
    V
    CB
    = -10 V
    F = 1 MHz的
    F = 1kHz时
    V
    CE
    = -5 V I
    C
    = -0.2毫安
    ∆f
    = 200赫兹ř
    G
    = 2 KΩ
    ∗
    脉冲：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2 %
    2/5

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