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BD139 参数 Datasheet PDF下载

BD139图片预览
型号: BD139
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 36 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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BD135 / BD139
热数据
R
吨HJ -CA SE
热阻结案件
最大
10
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
SYMB OL
I
CBO
I
EBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
BD135
BD139
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 5毫安
I
C
= 0.5 A
I
C
= 150毫安
I
B
= 0.05 A
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
25
25
40
63
T
C
= 125 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
10
10
取消它
µA
µA
µA
V
CEO ( SUS)
集电极 - 发射极
维持电压
V
CE (SAT)
V
BE
h
˚F ê
集电极 - 发射极
饱和电压
基Emitt器电压
直流电流增益
45
80
0.5
1
V
V
V
V
250
160
h
FE
h
FE
群体
I
C
= 150毫安
V
CE
= 2 V
BD139为10组
脉冲:脉冲宽度= 300
µs,
占空比1.5 %
安全工作区
2/4