IRFP250 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFP250
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内容描述：	N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET [N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 258 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

IRFP250

N沟道200V - 0.073Ω - 33A TO- 247

的PowerMESH ™II MOSFET

TYPE

IRFP250

DSS

200V

DS （ ON）

< 0.085Ω

33 A

典型ř

（上） = 0.073Ω

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

新的高压BENCHMARK

栅极电荷最小化

描述

的的PowerMESH

™

II是第一的演变

代MESH叠加

™.

在重新布局

finements引入大大提高了罗恩*区

品质因数，同时保持设备的铅

荷兰国际集团边缘的东西涉及具有结构转换的速度，门

充电和耐用性。

应用

大电流，高开关速度

不间断电源（ UPS ）

DC -AC转换器，电信，

工业，照明设备

TO-247

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

(

)

合计

dv/dt(1)

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 kΩ)

栅 - 源电压

漏电流（连续的）在T

= 25°C

漏电流（连续的）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

储存温度

马克斯。工作结温

价值

200

±20

132

180

1.44

-65到150

150

(1)I

≤33A,

的di / dt

≤300A/µs,

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX 。

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

（ • ）脉冲宽度有限的安全工作区

2000年9月

1/8

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