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MMBT3906 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906图片预览
型号: MMBT3906
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内容描述: 小信号PNP晶体管 [SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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MMBT3906
热数据
R
THJ - AMB
热阻结到环境
2
最大
357.1
o
C / W
设备安装在1cm的PCB面积
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CEX
I
BEX
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 3 V)
集电极截止
电流(V
BE
= 3 V)
测试条件
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
I
C
= -1毫安
-40
分钟。
典型值。
马克斯。
-50
-50
单位
nA
nA
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) CBO
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
I
C
= -10
µA
-60
V
V
( BR ) EBO
I
E
= -10
µA
-6
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= -10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
-0.1毫安
-1毫安
-10毫安
-50毫安
-100毫安
I
B
= -1毫安
I
B
= -5毫安
I
B
= -1毫安
I
B
= -5毫安
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
-1
-1
-1
-1
-1
V
V
V
V
V
-0.65
60
80
100
60
30
250
4
6
25
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
V
V
V
V
300
f
T
NF
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
跃迁频率
噪声系数
集电极 - 基
电容
发射极 - 基
电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
I
C
= -10mA V
CE
= -20 V F = 100MHz的
V
CE
= -5 V I
C
= -0.1毫安F = 10赫兹
15.7千赫ř
G
= 1 KΩ
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CB
= -5 V
V
EB
= -0.5 V
F = 100千赫
F = 100千赫
兆赫
dB
pF
pF
35
35
ns
ns
ns
ns
I
C
= -10毫安
V
CC
= -3V
I
C
= -10毫安
V
CC
= -3V
I
B
= -1毫安
I
B1
= -I
B2
= -1毫安
225
72
下降时间
t
f
脉冲:脉冲宽度= 300
µs,
占空比
2 %
2/4