STB55NF06 STB55NF06-1
STP55NF06 STP55NF06FP
N沟道60V - 0.015
Ω
- 50A TO-220 / TO- 220FP /我
²
PAK / D²PAK
的STripFET ™II功率MOSFET
TYPE
STP55NF06
STB55NF06-1
STB55NF06
STP55NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.018
<0.018
<0.018
<0.018
Ω
Ω
Ω
Ω
I
D
50 A
50 A
50 A
50 A(*)
TO-220FP
3
1
2
TO-220
1
3
2
s
典型ř
DS
（上） = 0.015
Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
表面安装ð
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
通孔I2PAK （ TO- 262 ）电源
包装管内（后缀“ -1" ）
3
I
²
PAK
TO-262
（后缀“-1” ）
3
12
1
D
²
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
描述
这是功率MOSFET ST-的最新发展
Microelectronis独特"Single特征大小™ "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示EX-
tremely高的堆积密度低的导通电阻，
坚固耐用的雪崩特性，并不太重要
因此，调整的步骤显着manufactur-
荷兰国际集团的重现性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
以Rth的价值
内部原理图
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
STP_B55NF06(-1)
STP55NF06FP
60
60
± 20
50
50(*)
35
35(*)
200
200(*)
110
30
0.73
0.2
7
350
-55至175
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 25A ，V
DD
= 30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
(•)
脉冲宽度有限的安全工作区
(*)
请参阅SOA对FP型由于最大允许电流值
2003年3月
.
(1)
I
SD
≤50A,
的di / dt
≤400A/µs,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
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STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
