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    STP6NK60ZFP 参数 Datasheet PDF下载

    STP6NK60ZFP图片预览
    型号： STP6NK60ZFP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道600V - 1ヘ - 6A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET [N-channel 600V - 1ヘ - 6A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 17 页 / 559 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STP6NK60ZFP的Datasheet PDF文件第9页  
    STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
    电气特性
    表6 。
    符号
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    开关时间
    参数
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    测试条件
    V
    DD
    = 300 V，I
    D
    = 3 A
    R
    G
    = 4.7Ω V
    GS
    = 10 V
    （参见图16）
    分钟。
    典型值。
    14
    14
    47
    19
    马克斯。
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    表7中。
    符号
    I
    SD
    I
    SDM(1)
    V
    SD(2)
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    源漏二极管
    参数
    源极 - 漏极电流
    源极 - 漏极电流（脉冲）
    正向电压上
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    反向恢复电流
    I
    SD
    = 6 A，V
    GS
    = 0
    I
    SD
    = 6 A， di / dt的= 100A / μs的
    V
    DD
    = 50 V ，T
    j
    = 150°C
    （参见图18）
    445
    2.7
    12
    测试条件
    民
    典型值。
    最大
    6
    24
    1.6
    单位
    A
    A
    V
    ns
    µC
    A
    1.脉冲宽度有限的安全工作区
    2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
    表8 。
    符号
    BV
    GSO(1)
    门源稳压二极管
    参数
    栅源击穿
    电压
    测试条件
    IGS = ± 1毫安（漏极开路）
    分钟。
    30
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
    ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
    从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
    具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
    使用外部元件。
    5/17

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