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    TIP50 参数 Datasheet PDF下载

    TIP50图片预览
    型号： TIP50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN开关晶体管 [SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 52 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号TIP50的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TIP50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIP50的Datasheet PDF文件第4页  
    TIP47 / TIP48 / TIP49 / TIP50
    热数据
    R
    THJ情况
    R
    THJ - AMB
    热阻结案件
    热阻结到环境
    最大
    最大
    3.125
    62.5
    o
    o
    C / W
    C / W
    电气特性
    (T
    例
    = 25
    o
    C除非另有说明）
    符号
    I
    CES
    参数
    集电极截止
    电流（V
    BE
    = 0)
    为
    为
    为
    为
    为
    为
    为
    为
    TIP47
    TIP48
    TIP49
    TIP50
    TIP47
    TIP48
    TIP49
    TIP50
    测试条件
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    350
    400
    450
    500
    150
    200
    250
    300
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    单位
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    I
    首席执行官
    集电极截止
    电流（I
    B
    = 0)
    I
    EBO
    发射极截止电流
    (I
    C
    = 0)
    V
    EB
    = 5 V
    I
    C
    = 30毫安
    为
    TIP47
    为
    TIP48
    为
    TIP49
    为
    TIP50
    I
    C
    = 1 A
    I
    C
    = 1 A
    I
    C
    = 0.3 A
    I
    C
    = 1 A
    V
    CE
    = 10 V
    F = 2 MHz的
    V
    CE
    = 10 V
    F = 1千赫
    I
    B
    = 0.2 A
    V
    CE
    = 10 V
    V
    CE
    = 10 V
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 0.2 A
    I
    C
    = 0.2 A
    30
    10
    10
    25
    V
    CEO （ SUS ）
    *集电极 - 发射极
    维持电压
    (I
    B
    = 0)
    250
    300
    350
    400
    1
    1.5
    150
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE（上）
    *
    h
    FE
    *
    f
    T
    h
    fe
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极电压
    直流电流增益
    跃迁频率
    小信号电流
    收益
    兆赫
    ∗
    脉冲：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2 %
    2/4

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