Si2303BDS
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.200在V
GS
= - 10 V
0.380在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
b
- 1.64
- 1.0
特点
•
无卤素选项可用
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2303BDS （L3） *
*标识代码
订货信息：
Si2303BDS-T1
Si2303BDS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si2303BDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
b
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
功耗
b
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
- 0.75
0.9
0.57
- 55〜 150
- 1.64
- 1.31
- 10
- 0.6
0.7
0.45
W
°C
5s
稳定状态
- 30
± 20
- 1.49
- 1.2
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
最大结点到环境
c
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板，T
≤
5 s.
Ç 。表面安装在FR4板。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
符号
R
thJA
典型
120
140
最大
145
175
单位
° C / W
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72065
S- 80642 -REV 。 C， 24 -MAR -08
www.vishay.com
1
SUMIDA [ SUMIDA CORPORATION ]
