SMH4811A
初步
其中， VS
民
最低工作电压，
V
DDMAX
是SMH4811A电源电压的上限值时，
I
DD
是必需的SMH4811A到的最小电流
工作了，我
负载
是任何额外负载的电流从
2.5V和5V的输出和V之间
DD
和V
SS
.
最小/最大电流限制使用滴容易满足
每个电阻器，除以下情况外输入
电压可以摆动在非常宽的范围（例如，输入
20V和100V之间变化） 。在这种情况下它
可能有必要增加之间的11V的齐纳二极管
V
DD
和V
SS
以处理宽的电流范围。齐纳
电压应低于标称电压调节
该SMH4811A使得它成为主调节器。
MOSFET V
DS
（ON）的阈值
在SMH4811A漏检测输入监控
电压在外部功率MOSFET开关的漏极
相到V
SS
。当MOSFET的V
DS
低于
用户定义的阈值的MOSFET开关被认为是
为ON 。在V
DS
（上）
门槛
使用调整
电阻R
T
在一系列与漏极感保护
二极管。这种保护，或阻塞，二极管防止高
漏感测输入电压击穿时，
MOSFET开关关闭。低漏MMBD1401二极管
提供保护，高达100V 。对于高电压应用
（高达500V ），中环半导体CMR1F -10M
二极管应该被使用。在V
DS
（上）
门槛
是calcu-
来自迟来：
V
DS
(
ON
)
门槛
=
V
SENSE
−
(
I
SENSE
×
R
T
)
−
V
二极管
,
其中，V
二极管
是保护的正向压降
二极管。在V
DS
（上）
门槛
在不同温度
由于温度Ⅴ的依赖性
二极管
我
SENSE
.
下面的计算给出了在V
DS
（上）
门槛
下
85 °C的环境最坏的情况。使用和68kΩ
电阻器的R
T
得到：
V
DS
(
ON
)
门槛
=
2.5V
−
(
15
µ
A
×
68k
Ω
)
−
0.5V
=
1V
.
整个MOSFET开关和感应的电压降
电阻，V
DSS
，由下式计算：
V
DSS
=
I
D
(
R
S
+
R
ON
)
,
在那里我
D
是MOSFET漏极电流，R
S
是电路
断路器检测电阻，而R
ON
是在MOSFET上
性。
注：图5至8 - 在* 10Ω电阻必须尽可能靠近尽可能的MOSFET
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