SMM151/152
直流工作特性（续）
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C， VDD = 2.7V至5.5V ， VCS = 4.0V至15V ，除非另有说明。所有电压都是相对于GND 。
注6 。
符号
I
AIT
OV / UV
V
HYST
R
引体向上
VREF
参数
地址输入三态
最大漏 - 高Z
监测电压范围
COMP1 / 2 DC滞后
输入上拉电阻
内部COMP1 / 2参考
笔记
分钟。
-3.0
典型值。
最大
+3.0
VDD
单位
μA
V
mV
kΩ
COMP1和COMP2引脚
COMP1和COMP2引脚，
V
TH
-V
TL
（见注1 ）
见引脚说明，注5
VREF=1.25V
VREF=0.5V
0
10
50
1.24
0.495
-1.0
-1.0
0
50
62
0
100
-2
-1
100
80
1.25
0.500
±0.75
±0.75
1.26
0.505
+1.0
+1.0
VDD
V
%
%
V
kΩ
dB
mV
玛格
加
VM
ADC
R
VM
CMRR
VM
CS
ADC
保证金精度
电压监控器ADC
测量范围
VM + ， VM-输入电阻
电压检测常见
模抑制比
电流监视器ADC
测量范围
电流检测精度
电流检测常见
模抑制比
VM + - VM- = 1.2V ，注4
VM + - VM- = 2.5V ，注4
VM + - VM-
注5
V
CM
（ VM + ， VM- ） = 0.5V - VDD ，注5
最低CS + - CS-电压
最多连拍+ - CS-电压
CS
ADC
≥
为50mV ，注2
CS
ADC
<为50mV ，注2
CS
加
+2
+1
%
mV
dB
CMRR
CS
V
CM
（ CS + ， CS- ） = 5.0V ，注5
V
CM
（ CS + ， CS- ） = 12V ，注5
注1 ：
V
HYST
度用1.25V的外部电压，并通过减去阈值低的阈值高，V确定
TH
-V
TL
而
监测FAULT ＃引脚的状态。实际的直流磁滞从等式得出： （Ⅴ
IN(COMP1/2)
/V
REF
)(
V
HYST
） 。例如，若V
IN(COMP1/2)
/=2.5V
和V
REF
= 1.25V那么实际的直流滞后= （ 2.5V / 1.25V ） （ 0.003V ）=为6mV 。
注2 ：电流检测精度取决于电流检测电阻容差。开尔文感应电阻两端的压降必须
用于保证精度。在目前的监测ADC的低范围精度将偏移误差产生不利影响。
注3 ：建议的ADC读出发生的不超过250Hz的更高的频率。
注4 ：电压精度，才能保证工厂编程设置。从值电压变化体现在客户的具体
CSIR代码可能会导致不准确超过上述指定。
注5 ：不100 ％生产测试。通过设计和/或特性保证。
注6 ：所有的电气参数，保证了功能的说明VDD ， VCS和温度范围内。未指定电气参数
如"guaranteed通过design"与该特定应用的需要的VDD电压测试。例如，如果设备是要在3.3V操作
和VCS电源12V的，它是一个VDD电源为3.3V ， + 10％和VCS供给的12V ， ±10 ％测试。
峰会微电子股份有限公司
2131 3.0 1/20/2010
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SUMMIT [ SUMMIT MICROELECTRONICS, INC. ]
