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ZMDBB45W 参数 Datasheet PDF下载

ZMDBB45W图片预览
型号: ZMDBB45W
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内容描述: 3.5x2.8mm表面贴装LED灯 [3.5x2.8mm SURFACE MOUNT LED LAMP]
分类和应用: 光电
文件页数/大小: 4 页 / 286 K
品牌: SUNLED [ SUNLED CORPORATION ]
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部件号:
ZMDBB45W
www.SunLED.com
3.5x2.8mm表面贴装LED灯
特点
这两款芯片可单独控制。
适用于所有的SMT装配和
焊接工艺。
可在磁带和卷轴。
包装: 1500PCS / REEL 。
湿度敏感度等级: 4级。
符合RoHS 。
关注
遵守注意事项
用于处理
静电
放电
敏感
器件
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.公差为± 0.25( 0.01" ),除非另有说明。
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
)
反向电压
正向电流
正向电流(峰值)
1/10占空比
0.1ms的脉冲宽度
功耗
工作温度
储存温度
V
R
I
F
i
FS
P
T
T
A
TSTG
MD
BB
( InGaA
(氮化铟镓)
LP )
5
50
185
125
5
30
160
126
工作特性
(T
A
=25°C)
)
正向电压(典型值)。
(I
F
=20mA)
正向电压(最大)
(I
F
=20mA)
反向电流(最大值)。
(V
R
=5V)
峰值波长
发射(典型值)。
(I
F
=20mA)
主导波长
发射(典型值)。
(I
F
=20mA)
谱线全宽
半最大值(典型值)。
(I
F
=20mA)
电容(典型值)。
(V
F
= 0V , F = 1MHz的)
发光的
强度
(IF=20mA)
MCD
分钟。
ZMDBB45W
InGaAlP系
氮化铟镓
无色透明
70
36
典型值。
218
69
640
468
120°
V
F
V
F
I
R
MD
( InGaA
LP )
1.9
2.5
10
BB
(氮化铟镓)
3.65
4.2
10
UNI
t
V
V
uA
单位
V
mA
mA
mW
-40 ~ +85
-40 ~ +85
1000
°
C
V
λ
P
640
468
nm
静电放电阈值
( HBM)的
λ
D
628
470
nm
∆λ
C
27
25
nm
45
65
pF
部分
EMITTING
颜色
EMITTING
材料
镜片颜色
波长
nm
λ
P
VIEWING
2
θ
1/2
发布日期: 2006年5月22日
图号: SDSA4995
V2
检查: B.L.LIU
P.1/4