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ZTNI45W 参数 Datasheet PDF下载

ZTNI45W图片预览
型号: ZTNI45W
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内容描述: 3.5x2.8mm红外发光二极管 [3.5x2.8mm INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 4 页 / 194 K
品牌: SUNLED [ SUNLED CORPORATION ]
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www.SunLED.com
部件号:
ZTNI45W
3.5x2.8mm
红外发光二极管
特点
机械和光谱匹配
光电晶体管。
水质清澈镜头。
包装: 1500PCS / REEL 。
MOIS TURE敏感度等级: 4级。
符合RoHS 。
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.公差为± 0.25( 0.01" ),除非另有说明。
3.规格如有变更,恕不另行通知。
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
反向电压
正向电流
正向电流(峰值)
1/100占空比
为10μs脉冲宽度
功耗
工作温度
储存温度
V
R
I
F
i
FS
P
T
T
A
TSTG
TNI
砷化镓(GaAs )
5
50
1.2
80
-40 ~ +85
-40 ~ +85
单位
V
mA
A
mW
工作特性
(T
A
=25°C)
正向电压(典型值)。
(I
F
=20mA)
正向电压(最大)
(I
F
=20mA)
反向电流(最大值)。
(V
R
=5V)
峰值波长
发射(典型值)。
(I
F
=20mA)
谱线全宽
半高(典型值)。
(I
F
=20mA)
电容(典型值)。
(V
F
= 0V , F = 1MHz的)
V
F
V
F
I
R
TNI
砷化镓(GaAs )
1.2
1.6
10
单位
V
V
uA
°
C
λ
P
940
nm
Δλ
50
nm
C
90
pF
部分
EMITTING
材料
镜片颜色
发光的
强度
宝(MW / SR )
@20mA*50mA
分钟。
典型值。
2.8
*7
波长
nm
λ
P
VIEWING
2
θ
1/2
ZTNI45W
砷化镓
无色透明
1.6
*2.6
940
120°
发表日期: FEB 28,2008
图号: SDSA0192
V6
检查: B.L.LIU
P. 1/4