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2SD788 参数 Datasheet PDF下载

2SD788图片预览
型号: 2SD788
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 103 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
 浏览型号2SD788的Datasheet PDF文件第2页  
2
S
对于低频功率放大
对于频闪仪
B
NPN硅外延平面型
单位:mm
5.0
±0.2
C
2SD788
4.0
±0.2
5.1
±0.2
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
在高效率与低运作良好表现
电压供电。
A
0.7
±0.1
K
D
E
G
0.7
±0.2
N
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
20
6
2
单位
V
F
0.45
+0.15
–0.1
H
2.5
+0.6
–0.2
2.5
+0.6
–0.2
F
V
1
L
2 3
2.3
±0.2
C
V
A
1
2
3
DIM毫米
A
4.70 MAX
B
4.80 MAX
C
3.70 MAX
D
0.45
1.00
E
1.27
F
G
+0.15
0.85
0.45
–0.1
0.45
H
14.00 + 0.50
J
0.55最大
K
2.30
L
M
0.45最大
N
1.00
J
12.9
±0.5
6
900
150
−55
to
+150
A
mW
°C
°C
1.发射器
2.收集
3. BASE
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 92封装
M
TO-92
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
注) 1 。
等级分类
2.
分类
范围
条件
I
C
=
1毫安,我
B
=
0
I
E
=
10
µA,
I
C
=
0
V
CB
=
16 V,I
E
=
0
V
CE
=
10 V,I
B
=
0
V
EB
=
6
V,I
C
=
0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A
I
C
=
1
A,I
B
=
0.1 A
V
CB
=
2
V,I
C
= 1 0
mA
V
CB
=
10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
20
6
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
µA
2
1
0.2
100
150
0.3
100
20
700
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
V
兆赫
PF
hFE2
A
100-300
.....B
250-500
....C
400-700
1