IRF2N60-220 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF2N60-220
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内容描述：	功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 80 K
品牌：	SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]

IRF2N60

OWER

MOSFET

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

DSS

和V

（上）指定高温

引脚配置

TO-220/TO-220FP

TO-252

TO-251

符号

N沟道MOSFET

前视图

SO URCE

SO URC ê

DR AIN

摹吃

漏

摹吃

门

来源

漏

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲

栅极 - 源极电压

总功耗

TO-251/TO-252

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

= 25

= 100V, V

= 10V ，我

= 2A ，L = 10MH ，R

= 25 )

符号

GSM

价值

2.0

9.0

±20

±40

单位

CONTINUE

不重复

, T

英镑

-55到150

1.0

62.5

260

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