IRF4N60FP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF4N60FP
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内容描述：	功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 153 K
品牌：	SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]

IRF4N60

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

顶视图

摹吃

SOU RCE

漏

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲

栅极 - 源极电压

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

= 25

= 100V, V

= 10V ，我

= 4A ，L = 10MH ，R

= 25 )

符号

GSM

价值

4.0

±20

±40

单位

CONTINUE

不重复

, T

英镑

-55到150

1.70

300

第1页

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