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    SDB2000S 参数 Datasheet PDF下载

    SDB2000S图片预览
    型号： SDB2000S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅双向电压触发开关 [silicon bilateral voltage triggered switch]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 6 页 / 115 K
    品牌： SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
     浏览型号SDB2000S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SDB2000S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SDB2000S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SDB2000S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SDB2000S的Datasheet PDF文件第6页  
    SIDAC
    数据表
    600
    400
    di / dt的界线
    No
    ITRM
    N-R
    ep
    V
    BO
    射击
    ea
    摊晒
    当前
    Re
    波形
    pe
    蒂蒂
    on
    Fr
    f=
    eq
    ue
    10
    nc
    Hz
    yf
    f=
    =5
    10
    0H
    Hz
    z
    f=
    1k
    Hz
    重复峰值
    通态电流（I
    TRM
    ） - 安培
    200
    100
    80
    60
    40
    20
    10
    8
    6
    4
    2
    1
    0.8
    0.6
    4
    2 x 10-3
    to
    升/女
    重复峰值击穿
    电流（I
    BO
    ）乘法器
    9
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    V = V
    BO
    T
    J
    = 125 ºC MAX
    f=
    f=
    f=2
    5k
    10
    Hz
    kH
    z
    z
    1
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    80
    90
    100
    110 120 130
    0的kH
    结温（T
    J
    ) – C
    ˚
    6 8
    1 x 10-2
    2
    4
    6 8
    1 x 10-1
    2
    4 6 81
    脉冲基宽度（T
    o
    ） - 女士
    图E9.3重复峰值通态电流（I
    TRM
    ）与
    在不同频率的脉冲宽度
    图E9.6归重复峰值击穿电流与
    结温
    9
    电流波形：正弦 - 60赫兹
    负载：阻性或感性
    免费AIR评级
    140
    最大允许的环境温度（T
    A
    ) – ˚C
    TL = 25 C
    8
    正或负瞬时
    通态电流（I
    T
    ） - 安培
    120
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    TO- 202封装"F"
    TO- 92 ， DO- 214和DO- 15X
    "E" ， "S"和"G"套餐
    100
    TO
    -20
    2
    80
    DO
    -1
    Ty
    pe
    1
    60
    5X
    TO
    -9
    an
    dT
    2
    O-
    an
    20
    40
    d
    DO
    -2
    2T
    yp
    e2
    14
    3a
    nd
    41
    25
    20
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    0
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    1.8
    2.0
    2.2 2.4
    2.6
    2.8
    3.0
    3.2
    3.4
    3.6
    RMS通态电流[I
    T（ RMS ）
    ] - 安培
    正或负瞬时通态电压（v
    T
    ） - 伏
    图E9.4最大允许环境温度与
    通态电流
    图E9.7通态电流与通态电压（典型值）
    +4
    K2xxxF1
    2.2
    2.0
    平均态
    功耗[P
    D（ AV ）
    ] - 沃茨
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    +2
    第五个
    BO
    CHANGE - ％
    电流波形：正弦
    负载：阻性或感性
    导通角：
    请参阅基本SIDAC Cirucit
    0
    -2
    -4
    -6
    -8
    -10
    -12
    -40
    -20
    0
    SDB2xxE
    SDB2xxG
    SDB2xxS
    SDB1xxE
    SDB1xxG
    SDB1xxS
    TO- 202封装"F"
    "E" ， "S"和"G"套餐
    TO- 92 ， DO- 214和DO- 15X
    +25
    +20
    +40
    +60
    +80
    +100
    +120 +140
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    结温（T
    J
    ) – ˚C
    RMS通态电流[I
    T（ RMS ）
    ] - 安培
    图E9.5归V
    BO
    改变与结温
    图E9.8功耗（典型）与通态电流
    [参考5基本SIDAC电路]
    4

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