STC2SD882_TO252 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STC2SD882_TO252
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 88 K
品牌：	SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]

STC

2SD882

NPN外延硅晶体管

中功率低电压

晶体管

特点

*高电流输出高达3A

*低饱和电压

*补到2SB772

应用

*音频功率放大器

*的DC-DC转换器

*稳压器

TO-252

1 ： BASE 2 ：收藏家3 ：辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极耗散（ TC = 25 ° C）

集电极耗散（ TA = 25 ° C）

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）

基极电流

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

0.6

150

-55 ~ +150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益（注1 ）

符号

CBO

EBO

FE1

FE2

测试条件

=30V,I

=3V,Ic=0

=2V,Ic=20mA

=2V,Ic=1A

Ic=2A,I

=0.2A

Ic=2A,I

=0.2A

=5V,Ic=0.1A

=10V,I

=0,f=1MHz

民

典型值

最大

1000

单位

100

200

150

0.3

1.0

0.5

2.0

兆赫

集电极 - 发射极饱和电压

（SAT）

基射极饱和电压

（SAT）

电流增益带宽积

输出电容

COB

注1 ：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％

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