STP3NB80 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STP3NB80
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 150 K
品牌：	SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]

STP3NB80

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO -

TO-220FP

符号

顶视图

摹吃

SOU RCE

漏

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲

栅极 - 源极电压

总功耗

减免上述25

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

= 25

, T

英镑

CONTINUE

不重复

符号

GSM

价值

3.0

±30

±40

0.28

-65到150

176

1.70

.300

......

单位

= 50V, V

= 10V ，我

= 3A ，L = 10MH ，R

= 25 )

第1页

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案