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X0205MN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: X0205MN
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内容描述: 敏感栅硅控整流器 [Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用: 栅极光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 74 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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NCR169D
A
超前信息
通用
STC X0205MN
敏感栅
可控硅整流器
SCR
1.25
RMS安培
600
反向阻断晶闸管
PNPN器件专为线路供电的通用
应用,如继电器和灯驱动器,小型电动机的控制,栅极
驱动较大的晶闸管,以及传感和检测电路。
提供以具有成本效益的塑料
SOT-223
封装。
敏感的门可以直接通过微控制器和触发
其它逻辑电路
通态电流额定值
1.25
安培RMS的在80℃下
浪涌电流能力 -
20
安培
免疫力的dV / dt - 20 V /微秒最低在110℃
玻璃钝化表面的可靠性和一致性
阻断电压为600伏
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
=
*40
至110℃ ,正弦波, 50〜
60赫兹;门打开)
开启状态RMS电流
(T
C
= 80 ℃), 180 °导通角
峰值不重复浪涌电流
( 1/2周期,正弦波, 60赫兹,
T
J
= 25°C)
电路熔断思考( T = 10毫秒)
正向峰值功率门
(T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
µ
s)
正向平均栅极电源
(T
A
= 25 ℃, t为20毫秒)
正向栅极峰值电流
(T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
µ
s)
反向峰值电压门
(T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
µ
s)
工作结温范围
@速度V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
I
T( RMS )
I
TSM
价值
600
单位
1
1.25
20
AMP
安培
2
3
4
G
A
K
4
1
2 3
SOT–223
CASE 318E
10风格
引脚分配
阴极
阳极
阳极
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
V
GRM
T
J
T
英镑
0.415
0.1
0.20
1.2
5.0
-40〜
110
-40〜
150
A
2
s
AMP
°C
°C
(1)在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而,正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得以使得该电压的恒定源测试
该器件的收视率超过了。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年12月 - 修订版0
出版订单号:
NCR169D/D