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型号: 2N6661
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 396 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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2N6660/2N6661
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司2N6660和2N6661是enhancement-
模式(常关)晶体管,它利用垂直
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生装置
与双极晶体管的功率处理能力,
和高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特色
所有的MOS结构中,这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压,高的击穿电压,高
输入阻抗,低输入电容,和快速开关
速度是需要的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器(继电器,锤子,螺线管,灯,
存储器,显示器,双极型晶体管等)的
订购信息
设备
2N6660
2N6661
TO-39
TO-39
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
60
90
R
DS ( ON)
(最大)
(Ω)
3.0
4.0
I
D(上)
(分钟)
(A)
1.5
1.5
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
引脚CON组fi guration
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注: 1 。
为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
DGS
TO-39
案例:排水