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DN1509N8-G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DN1509N8-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS FET [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 364 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN1509
N沟道耗尽型垂直DMOS FET
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
该Supertex公司DN1509适用于高电压的瞬态
“加载过程中的LDO在汽车应用中保护
倾销“的条件。
这个低阈值时,耗尽模式(常开)
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构
和Supertex公司的成熟的硅栅制造
流程。这种结合产生了一种装置,用
双极晶体管的功率处理能力和
具有高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构,该设备不受热失控
和热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压,高的击穿电压,高
输入阻抗,低输入电容,和快速开关
速度是需要的。
应用
常通开关
电池供电系统
转换器
线性放大器器
恒流源
电信
订购信息
设备
DN1509
封装选项
TO- 243AA ( SOT- 89 )
DN1509N8-G
产品标识为TO- 243AA :
BV
DSX
/ BV
DGX
90V
R
DS ( ON)
(最大)
6.0Ω
I
DSS
(典型值)
540mA
哪里
DN5A
= 2个星期的α-日期代码
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
引脚CON组fi guration
D
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注: 1 。
为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
G
D
( TOP VIEW )
S
TO- 243AA ( SOT- 89 )