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DN2535N5-G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DN2535N5-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 6 页 / 727 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN2535
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
Supertex公司DN2535是一个低门槛耗尽型
利用先进的垂直(常开)晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
并用高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构,该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压,高输入阻抗,低输入
电容,和快速的开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
订购信息
设备
DN2535
封装选项
TO-92
DN2535N3-G
TO-220
DN2535N5-G
BV
DSX
/ BV
DGX
(V)
R
DS ( ON)
最大
(Ω)
I
DSS
(MA )
350
25
150
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
( 1 )同SOT- 89 。
销刀豆网络gurations
来源
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
3引脚TO- 92 ( N3 )
来源
3引脚TO- 220 ( N5 )
产品标识
DN
2535
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。
该装置的绝对等级水平的连续操作可能会影响
器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
DN2535N5
LLLLLLLLL
YYWW
3引脚TO- 92 ( N3 )
L =批号
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
3引脚TO- 220 ( N5 )