DN2535/DN2540
热特性
包
TO-92
TO-220
TO-243AA
†
I
D
（连续） *
120mA
500mA
170mA
I
D
（脉冲的）
500mA
500mA
500mA
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
15.0W
1.6W （T
A
= 25°)
†
θ
jc
°
C / W
125
8.3
15
θ
ja
°
C / W
170
70
78
†
I
DR
*
120mA
500mA
170mA
I
DRM
500mA
500mA
500mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。牛逼
A
= 25°C
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
∆V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏 - 源
击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
DN2540
DN2535
民
400
350
–1.5
–3.5
4.5
100
10
1
I
DSS
R
DS （ ON）
∆R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
800
325
200
12
1
300
30
5
10
15
15
20
1.8
V
ns
V
GS
= -10V ，我
SD
= 120毫安
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25Ω
pF
150
17
25
1.1
V
毫伏/°C的
nA
µA
mA
mA
Ω
%/°C
m
V
DS
= 25V ，我
D
= 10µA
V
DS
= 25V ，我
D
= 10µA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -10V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时，我
D
= 120毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 120毫安
I
D
= 100mA时V
DS
= 10V
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= -5V ，我
D
= 100µA
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
90%
10%
t
（上）
脉冲
发电机
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
10%
t
D（上）
V
DD
产量
0V
10%
输入
90%
90%
2
Ω
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
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