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DN3135K1 参数 Datasheet PDF下载

DN3135K1图片预览
型号: DN3135K1
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 453 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN3135
N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
Supertex公司DN3135是一个低门槛耗尽型
利用先进的垂直(常开)晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
并用高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构,该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压,高输入阻抗,低输入
电容,和快速的开关速度是期望的。
产品标识为TO- 236AB :
N1S
哪里
= 2个星期的α-日期代码
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
产品标识为TO- 243AA :
DN1S
哪里
= 2个星期的α-日期代码
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
350V
R
DS ( ON)
(最大)
(分钟)
I
DSS
封装选项
TO-236AB
1
DN3135K1
DN3135K1-G
TO-243AA
2
DN3135N8
DN3135N8-G
35Ω
180mA
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
注意事项:
1
同SOT- 23 ,
2
同SOT- 89 。
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
D
D
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
G
( TOP VIEW )
S
G
D
S
TO-236AB
TO-243AA
( TOP VIEW )