DN3765
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS FET
特点
►
►
►
►
►
►
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
此耗尽模式（常开）晶体管采用一
先进的垂直DMOS结构和Supertex公司的良好
公认的硅栅的制造工艺。这种组合
产生装置具有的功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和
正温度COEF网络cient固有的MOS器件。
所有MOS结构的特点，该设备是免费的
从热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
►
►
►
►
►
►
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电信
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
(V)
引脚CON组fi guration
封装选项
TO- 252 （ D-白）
DN3765K4-G
来源
门
漏
R
DS （ ON）
最大
(Ω)
I
DSS
民
（MA ）
650
8.0
200
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
TO- 252 （ D- PAK ） （ K4 ）
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
最高结温
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
150
O
C
产品标识
YYWW
DN3765
LLLLLLL
YY =年密封
WW =周密封
L =批号
= “绿色”包装
TO- 252 （ D- PAK ） （ K4 ）
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
