HV57009
64通道串行到并行转换
用P沟道开漏可控输出电流
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80引脚四方
陶瓷鸥翼
80引脚四方
胶鸥翼
DIE
80引脚四方
陶瓷鸥翼
（ MIL - STD- 833加工* ）
RBHV57009DG
HV57009
HV57009DG
HV57009PG
HV57009X
*对于高可靠性的工艺流程，请参阅数据手册的第5-3页。
特点
❏
处理与HVCMOS
®
技术
❏
5V CMOS逻辑
❏
输出电压可达-85V
❏
输出电流源控制
❏
相当于16MHz的数据传输速率
❏
锁存输出数据
❏
正向和反向转换选项（ DIR引脚）
❏
二极管V
DD
让英法fi cient恢复供电
❏
高可靠性的处理提供
概述
在HV570是低电压的串行到高电压平行CON-
变频器与P沟道开漏输出。该装置已
设计用作用于等离子面板的驱动。
该装置具有两个平行的32位移位寄存器，允许数据
速率1的两倍的速度（它们的时钟一起） 。那里
也是64的锁存器和控制逻辑来执行的消隐
的输出。 HV
OUT
1被连接到所述第一变速的第一阶段
注册通过消隐逻辑。数据是通过偏移
上的逻辑低到时钟的高电平的转换移位寄存器。该
DIR引脚使CCW换挡时连接到V
SS
和CW
当连接到V转换
DD
。提供数据输出缓冲器
用于级联的设备。这个输出反映当前状态的
移位寄存器的最后一位（HV
OUT
64）。移位操作
寄存器不受对LE （锁存使能） ，或对BL
（空白）输入。数据从移位寄存器转移到
当LE输入为高电平时锁存器。在锁存器中的数据
被存储时， LE是低的。
该HV570具有64个通道的输出恒流采购
能力。他们是可调范围为0.1 2.0毫安通过一个
外部电阻器或电流源。
绝对最大额定值
电源电压，V
DD1
输出电压V
NN1
逻辑输入电平
1
地电流
2
连续总功率耗散
3
塑料
陶瓷的
工作温度范围
存储温度范围
铅温度1.6mm （ 1/16英寸）
从案例10秒
-0.5V至+ 7.5V
V
DD
+ 0.5V至-95V
-0.3V到V
DD
+0.3V
1.5A
1200mW
1900mW
塑料
-40 ° C至+ 85°C
陶瓷-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
注意事项：
1.所有电压参考V
SS
.
2.通过将总功率耗散在包的限制。
3.对于经营超过25° C的环境减免线性最大运行
温度在20毫瓦/°C，适用于塑料和19MW / ℃的陶瓷。
03/12/02
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