HV6506
32通道的LCD驱动器
具有独立的背板输出
订购信息
封装选项
设备
HV6506
44 - J引线四方
塑料芯片载体
HV6506PJ
44引脚四方
胶鸥翼
HV6506PG
骰子
在华夫格包
HV6506X
特点
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处理与HVCMOS
®
技术
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32推挽CMOS输出高达60V
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低功率电平移位
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源出/吸入电流最小5毫安
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移位寄存器的速度为5MHz
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锁存输出数据
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双向移位寄存器（ DIR ）
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背板输出
概述
的HV65是低电压的串行到高电压并联变换器
用推挽输出。该设备被设计用作
一个驱动电路，用于液晶显示器。它也可以用在任何使用
应用程序需要多个输出的高压电流sourc-
荷兰国际集团和吸收能力。输入是完全相容CMOS
IBLE 。
该装置包括一个32位的移位寄存器，锁存器32 ，并
控制逻辑执行极性选择的输出的。 HVOUT1
通过连接到所述移位寄存器的第一级
极性逻辑。数据通过移位寄存器的逻辑移位
低到时钟的高电平的转换。一个DIR引脚使数据转移
当逆时针连接后接地，顺时针
到V
DD
。数据输出缓冲器提供了级联的设备。
这个输出反映换档的最后位的当前状态
注册。移位寄存器的操作不受由LE
（锁存使能）或POL （极性）输入。数据从传输
移位寄存器的锁存器时，会发生LE （锁存使能）
输入为高。在锁存器中的数据来自LE过渡期后存储
高电平变为低电平。
绝对最大额定值
1
电源电压，V
DD2
输出电压V
PP2
逻辑输入电平
2
地电流
3
连续总功率耗散
4
工作温度范围
存储温度范围
铅温度1.6mm （ 1/16英寸）
从案例10秒
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 80V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
1.5A
1200mW
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 125°C
260°C
注意事项：
1.设备将生存（但操作可能无法指定或担保）的
这两个极端。
2.所有电压参考V
SS
.
3.占空比由总功耗封装的限制。
4.操作高于25° C的环境线性降额到85° / C在20毫瓦℃。
12-132
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
