LND150 参数 Datasheet PDF下载

LND150

N沟道耗尽型模式

MOSFET

订购信息

BV

DSX

/

BV

DGX

500V

R

DS （ ON）

（最大）

1.0KΩ

I

DSS

（分钟）

1.0mA

订单号码/套餐

TO-92

LND150N3

TO-243AA*

LND150N8

DIE

LND150ND

产品标识为TO- 243AA ：

LN1E❋

哪里

❋

= 2个星期的α-日期代码

*同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。

特点

❏

ESD保护门

❏

无二次击穿

❏

低功耗驱动要求

❏

易于并联的

❏

优良的热稳定性

❏

积分源极 - 漏极二极管

❏

高输入阻抗和低C

国际空间站

先进的DMOS技术

该LND1是一个高电压N沟道耗尽模式（ normally-

上）晶体管采用Supertex公司的横向DMOS技术。该

门的ESD保护。

该LND1非常适合在以下领域的高电压应用

常开开关，高精度恒流源，电压

年龄斜坡生成和放大。

封装选项

应用

❏

固态继电器

❏

常通开关

❏

转换器

❏

电源电路

❏

恒流源

❏

输入保护电路

S

G

S

D

绝对最大额定值

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储温度

焊接温度*

*

1.6毫米的情况下10秒的距离。

BV

DSX

BV

DGX

±20V

-55 ° C至+ 150°C

300°C

TO-243AA

(SOT-89)

SGD

TO-92

注：请参阅尺寸封装外形部分。

12/13/01

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1

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