LP0701LG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LP0701LG
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内容描述：	P沟道增强模式横向MOSFET [P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 32 K
品牌：	SUPERTEX [ Supertex, Inc ]

LP0701

低门槛

P沟道增强模式

横向MOSFET

订购信息

DSS

DGS

-16.5V

DS （ ON）

（最大）

1.5Ω

D（上）

（分钟）

-1.25A

GS （ TH）

（最大）

-1.0V

订单号码/套餐

TO-92

LP0701N3

SO-8

LP0701LG

DIE

LP0701ND

特点

超低阈值

高输入阻抗

低输入电容

快速开关速度

低导通电阻

免于二次击穿

低输入和输出泄漏

互补N和P沟道器件

先进的MOS技术

这些增强模式（常关）晶体管采用一lat-

ERAL MOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅

制造工艺。这种结合产生器件与

双极晶体管和与所述功率处理能力

高输入阻抗和负温度系数inher-

耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些

设备不受热失控和热致

二次击穿。低阈值电压和低导通

电阻特性非常适用于手持式电池

运行应用程序。

应用

逻辑电平接口

固态继电器

电池供电系统

光伏驱动器

模拟开关

通用线路驱动器

SGD

封装选项

（注1 ）

绝对最大额定值

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储温度

焊接温度*

1.6毫米的情况下10秒的距离。

DSS

DGS

10V

-55 ° C至+ 150°C

300°C

TO-92

SO-8

顶视图

注：请参阅尺寸封装外形部分。

7-23

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