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    MD7120K6-G 参数 Datasheet PDF下载

    MD7120K6-G图片预览
    型号： MD7120K6-G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速， 200V ，全H桥MOSFET驱动器 [High Speed, 200V, Full H-Bridge MOSFET Driver]
    分类和应用： 驱动器
    文件页数/大小： 6 页 / 805 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号MD7120K6-G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MD7120K6-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MD7120K6-G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MD7120K6-G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MD7120K6-G的Datasheet PDF文件第6页  
    MD7120
    低电压和过电流/温度保护
    符号
    V
    OL_OPF
    V
    PULL -UP
    I
    OPF
    V
    UVT
    V
    UVH
    I
    RP1
    , I
    RP3
    I
    RP2
    V
    GS1-4
    T
    OTP
    T
    OTH
    参数
    OPF FL AG输出低电压
    开漏上拉电压
    OPF下沉电流限制
    V
    DD
    阈值上升
    V
    DD
    UV迟滞
    高侧电流参考
    低边电流基准
    门感应电压阈值
    过温阈值
    过温迟滞
    民
    -
    -
    -
    6.8
    -
    -
    -
    4.5
    95
    -
    典型值
    -
    -
    1.0
    7.8
    0.6
    55
    55
    6.0
    110
    7.0
    最大
    1.0
    15
    1.5
    8.8
    -
    -
    -
    7.5
    120
    -
    （在工作条件下，除非另有规定编V
    DD
    = 12V, V
    PP
    = 200V ，T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    单位
    V
    V
    mA
    V
    V
    µA
    µA
    V
    O
    条件
    OPF =低，我
    PULL -UP
    = 1.0毫安
    I
    OPF
    = 1.0毫安
    ---
    ---
    ---
    ---
    ---
    参考S1-4
    如果温度过高， OPF低，
    M1 〜 4折
    ---
    V
    DD
    = 12V, V
    PP
    = 200V ，T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    C
    C
    O
    AC电气特性
    （在工作条件下，除非另有规定ED 。
    符号
    f
    S
    t
    dr
    t
    df
    t
    r
    t
    f
    t
    dm
    Δt
    DTR
    Δt
    DTA
    THD
    t
    EN
    t
    PWR_UP
    参数
    开关频率
    接通延时+死区时间
    关点延迟时间
    输出上升时间
    输出下降时间
    死区时间匹配
    死区时间可调范围
    死区时间测量精度
    总谐波失真
    启用准备时间
    开机时间
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    35
    40
    28
    29
    -
    -
    ±5.0
    0.0007
    -
    -
    最大
    1.0
    -
    -
    -
    -
    ±5
    50
    ±10
    -
    80
    200
    单位
    兆赫
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    %
    %
    ns
    µs
    条件
    ---
    当T
    dt
    =分钟
    见时序图
    随着1.0nF的负载
    随着1.0nF的负载
    通道到通道
    RDT = 1.0kΩ至200kΩ的
    为15ns至50ns的
    时间抖动的贡献，女
    J
    = 10Hz的，
    f
    S
    = 500kHz的，女
    A
    = 1.0kHz
    见时序图
    见时序图
    逻辑表
    逻辑输入
    EN
    1
    1
    1
    1
    0
    INA
    0
    0
    1
    1
    X
    INB
    0
    1
    0
    1
    X
    L
    L
    H
    H
    高阻
    功率MOSFET输出
    一桥输出
    B桥输出
    L
    H
    L
    H
    高阻
    3

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