TC2320
TC2320
N-和P-沟道增强型MOSFET双
BV
DSS
/ BV
DGS
N沟道
200V
P沟道
-200V
R
DS （ ON）
（最大）
N沟道
7.0
P沟道
12
订单号码/套餐
SO-8
TC2320TG
特点
❑
低门槛
❑
低导通电阻
❑
独立的，电隔离N型和P通道
❑
低输入电容
❑
快速开关速度
❑
无二次击穿
❑
低输入和输出泄漏
低阈值DMOS技术
Supertex公司TC2320TG包括高电压低门槛的N-
采用SO - 8封装沟道和P沟道MOSFET 。这些低
阈增强模式（常关）晶体管采用一
先进的垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
❑
医用超声变送器
❑
高电压脉冲发生器
❑
放大器器
❑
缓冲器
❑
压电换能器驱动程序
❑
通用线路驱动器
❑
逻辑电平接口
封装选项
S1
1
N沟道
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
8
7
6
P沟道
D1
D1
D2
D2
绝对最大额定值*
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
G1
S2
G2
2
3
4
5
SO- 8封装
（ TOP VIEW ）
04/23/02
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