TC2320
N和P沟道增强型MOSFET双
特点
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低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速开关速度
免于二次击穿
低输入和输出泄漏
独立的，电隔离的N-和P-
频道
概述
该Supertex公司TC2320TG由一个高电压，低
阈值的N沟道和P沟道MOSFET采用SO - 8封装。
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构
和Supertex公司的成熟的硅栅制造
流程。这种结合产生与器件
双极晶体管的功率处理能力和
具有高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特色
所有的MOS结构中，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
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医用超声变送器
高电压脉冲发生器
放大器器
缓冲器
压电换能器驱动程序
通用线路驱动器
逻辑电平接口
订购信息
设备
封装选项
8引脚SOIC （窄体）
TC2320
TC2320TG-G
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
（最大）
(Ω)
N沟道
200
P沟道
-200
N沟道
7.0
P沟道
12
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
引脚CON组fi guration
DRAIN_P
DRAIN_P
DRAIN_N
DRAIN_N
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
GATE_P
SOURCE_P
GATE_N
SOURCE_N
8引脚SOIC （ TG ）
产品标识
YYWW
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
C2320
LLLL
YY =年密封
WW =周密封
L =批号
= “绿色”包装
8引脚SOIC （ TG ）
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
