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型号: TC6320TG
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内容描述: N-和P-沟道增强型MOSFET双 [N- and P- Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 379 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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TC6320
N-和P-沟道增强型MOSFET双
特点
低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速开关速度
免于二次击穿
低输入和输出泄漏
独立的,电隔离的N-和P-
频道
概述
Supertex公司TC6320包括高电压低
在一个SO-阈N沟道和P沟道MOSFET
8封装。两个MOSFET集成了栅极 - 源极
电阻和栅极 - 源极的齐纳二极管钳位它们是
所需的高电压脉冲发生器的应用。该TC6320是
免费,高速,高电压,栅极钳位
N沟道和P沟道MOSFET对采用SO - 8封装。
这些低阈增强模式(常关)
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构
和Supertex公司的成熟的硅栅制造
流程。这种结合产生与器件
双极晶体管的功率处理能力和
具有高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特色
所有的MOS结构中,这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压,高的击穿电压,高
输入阻抗,低输入电容,和快速开关
速度是需要的。
应用
医用超声变送器
高电压脉冲发生器
放大器器
缓冲器
压电换能器驱动程序
通用线路驱动器
订购信息
设备
TC6320
封装选项
8引脚SOIC (窄体)
TC6320TG
TC6320TG-G
BV
DSS
/ BV
DGS
N沟道
200V
P沟道
-200V
R
DS ( ON)
(最大)
N沟道
7.0Ω
P沟道
8.0Ω
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
引脚CON组fi guration
S1
1
2
3
4
P沟道
N沟道
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
G1
S2
G2
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不
暗示。该设备在绝对评价等级连续运行
可能会影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
注: 1 。
为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
SO- 8封装
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