TN0104
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
40V
40V
*
同SOT- 89 。
†
R
DS （ ON）
（最大）
1.8Ω
2.0Ω
V
GS （ TH）
（最大）
1.6V
1.6V
I
D（上）
（分钟）
2.0A
2.0A
订单号码/套餐
TO-92
TN0104N3
—
TO-243AA*
—
TN0104N8
DIE
†
TN0104ND
—
产品供应在2000年一块载带卷盘。
MIL视觉筛选可用
7
产品标识为TO- 243AA ：
特点
门槛低-1.6V最大。
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
TN1L*
其中* = 2星期阿尔法日期代码
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
为TO-39和TO- 92 ，距离为1.6毫米，从壳体10秒。
7-31
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
G
D
S
TO-243AA
(SOT-89)
SGD
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
