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TN0106N3 参数 Datasheet PDF下载

TN0106N3图片预览
型号: TN0106N3
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 31 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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TN0106/TN0110
典型性能曲线
输出特性
5
5
饱和特性
4
4
V
GS
= 10V
I
D
(安培)
V
GS
= 10V
8V
2
I
D
(安培)
3
3
8V
2
6V
6V
1
1
4V
2V
0
10
20
30
40
50
4V
2V
0
2
4
6
8
10
0
0
V
DS
(伏)
跨导主场迎战漏电流
0.5
10
V
DS
(伏)
功耗对比外壳温度
7
T
A
= -55°C
0.4
8
T
A
= 25°C
G
FS
(西门子)
T
A
= 150°C
0.2
P
D
(瓦特)
0.3
6
4
0.1
2
V
DS
= 25V
0
0
.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0
TO-92
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(安培)
最大额定安全工作区
10
1.0
T
C
(
°
C)
热响应特性
T
C
= 25°C
TO-92 (脉冲)
热电阻(标准化)
0.8
I
D
(安培)
1.0
0.6
TO-92 (DC)的
0.1
0.4
0.2
TO-92
T
C
= 25°C
P
D
= 1W
0.01
1
10
100
1000
0
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
t
p
(秒)
7-37