–O
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
200V
240V
†
TE -
唯一
B
TN0520
TN0524
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
R
DS （ ON）
（最大）
10Ω
10Ω
I
D（上）
（分钟）
300mA
300mA
V
GS （ TH）
（最大）
1.5V
1.5V
订单号码/套餐
TO-39
TN0520N2
—
TO-92
TN0520N3
TN0524N3
DIE
†
TN0520ND
TN0524ND
MIL视觉筛选可用
7
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
高可靠性器件
请参阅军用标准流程5-4页和5-5
流动和订购信息。
特点
■
门槛低-1.5V最大。
■
高输入阻抗
■
低输入电容 - 45pF的典型
■
快速开关速度
■
低导通电阻
■
无二次击穿
■
低输入和输出泄漏
■
互补N和P沟道器件
应用
■
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
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固态继电器
■
电池供电系统
■
光伏驱动器
■
模拟开关
■
通用线路驱动器
■
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
7-39
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
DGS
SGD
TO-39
案例：排水
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
