TN0604
N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
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低门槛 - 1.6V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 140pF典型
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这个低阈值，增强模式（常关）
晶体管采用了垂直的DMOS结构和Supertex公司
经过充分验证，硅栅的制造工艺。这
结合产生了一种装置，具有功率处理
双极晶体管和高输入的能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
设备是无热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
在四阵列封装（ 20引脚SOW （工作组） ）使用
四个独立的DMOS晶体管可提供4
独立信道。
应用
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逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
最大
(Ω)
I
D（上）
民
(A)
V
GS （ TH）
最大
(V)
封装选项
TO-92
TN0604N3-G
-
20引脚SOW
-
TN0604WG-G
40
40
0.75
1.0
4.0
4.0
1.6
1.6
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
来源
漏
门
漏
1
漏
1
漏
1
门
1
来源
1
来源
2
门
2
漏
2
漏
2
漏
2
漏
4
漏
4
漏
4
门
4
来源
4
来源
3
门
3
漏
3
漏
3
漏
3
TO-92 （N 3 ）
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
20引脚SOW （工作组）
产品标识
顶部标记
YYWW
T N 0604WG
LLLLLLLLLL
产品标识
TN
0604
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
TO-92 （N 3 ）
底部标志
CCCCCCCCCCC
AAA
YY =年密封
WW =周密封
L =批号
C =原产地*
A =汇编ID *
= “绿色”包装
*可能是顶部的一部分标记
20引脚SOW （工作组）
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
