TN0604
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
40V
40V
R
DS （ ON）
（最大）
0.75Ω
1.0Ω
I
D（上）
（分钟）
4.0A
4.0A
V
GS （ TH）
（最大）
1.6V
1.6V
订单号码/套餐
TO-92
TN0604N3
—
SOW-20*
—
TN0604WG
*同
SO- 20与300密耳宽体。
特点
❏
低门槛 - 1.6V最大。
❏
高输入阻抗
❏
低输入电容 - 140pF典型
❏
快速开关速度
❏
低导通电阻
❏
无二次击穿
❏
低输入和输出泄漏
❏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
❏
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
❏
固态继电器
❏
电池供电系统
❏
光伏驱动器
❏
模拟开关
❏
通用线路驱动器
❏
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
SGD
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-92
SOW-20
注意事项：
1.见包装外形部分的尺寸。
2.请参阅阵列部分四引脚。
02/06/02
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