TN0606
TN0610
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/ R
DS （ ON）
BV
DGS
（最大）
60V
100V
†
I
D（上）
（分钟）
3.0A
3.0A
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
2.0V
订单号码/套餐
TO-92
TN0606N3
TN0610N3
TO-220
TN0606N5
—
1.5Ω
1.5Ω
MIL视觉筛选可用
7
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
特点
s
低门槛 - 2.0V最大。
s
高输入阻抗
s
低输入电容 - 100pF的典型
s
快速开关速度
s
低导通电阻
s
无二次击穿
s
低输入和输出泄漏
s
互补N和P沟道器件
应用
s
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
s
固态继电器
s
电池供电系统
s
光伏驱动器
s
模拟开关
s
通用线路驱动器
s
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
7-51
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
G
D
S
SGD
TO-220
TAB ：排水
TO-92
注意：
1.尺寸见包装外形节
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
