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TE
TN2101
唯一
- OB
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
15V
R
DS （ ON）
（最大）
7.0Ω
V
GS （ TH）
（最大）
1.0V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN2101K1
DIE
TN2101ND
产品标识为SOT- 23 ：
N1U❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
7
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
漏
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±15V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
来源
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
注：请参阅尺寸封装外形部分。
7-67
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
