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TN2124 参数 Datasheet PDF下载

TN2124图片预览
型号: TN2124
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 36 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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TN2124
热特性
TO-236AB
TO-243AA
I
D
(连续) *
134mA
230mA
I
D
(脉冲的)
250mA
1.1A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
1.6W
θ
jc
°
C / W
200
15
θ
ja
°
C / W
350
78
I
DR
*
134mA
230mA
I
DRM
250mA
1.1A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板。 25mmx25mmx1.57mm 。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
0.1
240
0.8
2.0
-5.5
100
1
100
I
D(上)
R
DS ( ON)
∆R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
注意事项:
1,所有的DC参数,除非另有说明100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
µA
µA
mA
条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时, V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 3V ,我
D
= 25毫安
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 120毫安
I
D
= 120毫安,V
GS
= 4.5V
V
DS
= 25V ,我
D
= 120毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
140
30
15
0.7
100
170
38
9
3
4
2
7
9
50
15
5
7
5
10
12
1.8
400
1.0
%/°C
m
pF
ns
V
ns
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
10%
t
(上)
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
= 25V
I
D
= 140毫安
R
= 25Ω
I
SD
= 120毫安,V
GS
= 0V
I
SD
= 120毫安,V
GS
= 0V
V
DD
R
L
产量
D.U.T.