TN2130
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
300V
R
DS ( ON)
(最大)
25Ω
V
GS ( TH)
(最大)
2.4V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN2130K1
DIE
TN2130ND
产品标识为SOT- 23 :
N1T❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
特点
❏
无二次击穿
❏
低功耗驱动要求
❏
易于并联的
❏
低C
国际空间站
和快速开关速度
❏
优良的热稳定性
❏
积分源极 - 漏极二极管
❏
高输入阻抗和高增益
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
❏
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
❏
固态继电器
❏
电池供电系统
❏
光伏驱动器
❏
模拟开关
❏
通用线路驱动器
❏
电信交换机
封装选项
漏
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
来源
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
注:请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
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