SUPERTEX增强&耗尽型MOSFET的
产品本页符合。
MOSFET的
SOIC-8
SOIC - 8 （窄）
SOT-23-3
SOT-89-3
TO-92
TO-220
TO-252
♦
表面安装器件
SUPERTEX N沟道增强型MOSFET （续）
†
低门槛
开启/关闭
延迟
时间
t
（上）
马克斯。 （纳秒）
8
7
15
20
20
15
10
20
20
20
20
20
15
15
20
20
10
10
10
10
10
t
（关闭）
马克斯。 （纳秒）
23
10
90
25
25
35
12
65
25
25
40
65
25
25
25
25
25
25
10
25
25
欲订购2000只及以上，请致电问询。
Supertex公司
商Mouser
库存号
Supertex公司
产品型号
包
TYPE
漏 - 源
击穿
电压
BV
DSS
MIN 。 （V ）
门
门槛
电压
V
GS （ TH）
MIN 。 （ V）最大。 （V ）
0.8
0.8
1
0.6
0.6
0.8
0.8
0.6
1
0.6
0.8
0.6
0.8
0.8
0.6
0.6
1.5
1.5
2
1.5
1.5
2
2
3
2
2
2.4
2.4
1.8
2
2
2.4
1.8
2
2
2
2
4
4
4
4
4
漏极至源极导通状态
输入
导通状态
漏
电容
阻力
当前
R
DS （ ON）
最大。 （ Ω ）
10
15
1.25
7
7
3.5
25
15
10
15
6
12
5
5
12
12
13
13
60
20
20
I
D（上）
分钟。 （ A）
1
0.14
5
1.2
1.2
0.8
0.25
0.15
1
0.75
1
0.15
2
2
1
1
0.5
0.5
0.15
0.25
0.25
C
国际空间站
（PF ）
125
38
300
70
110
105
35
110
125
65
200
110
180
180
95
95
150
150
45
150
150
动力
耗散
@ TA = 25℃
(W)
1
0.36
1
0.74
0.74
1.6
0.36
1
1.6
0.36
1.6
1
1.3
1
1
1.6
1
1.6
1
1
1.6
1
.63
.46
2.07
.40
.36
.86
.46
.97
.86
.53
.89
1.06
1.29
1.03
.84
.89
.97
1.03
.99
.82
.82
单价
100
.52
.38
1.72
.33
.30
.71
.38
.81
.71
.44
.74
.88
1.07
.85
.70
.74
.81
.85
.82
.68
.68
500
.48
.35
1.59
.31
.28
.66
.35
.74
.66
.41
.69
.82
.99
.79
.64
.69
.74
.79
.76
.63
.63
1000
.46
.34
1.53
.29
.27
.63
.34
.71
.63
.39
.66
.78
.95
.76
.62
.66
.71
.76
.73
.60
.60
†
♦
†
♦
†
♦
†
†
♦
♦
†
♦
†
†
♦
†
†
♦
†
†
♦
♦
♦
VN2410L-G
TO-92
TN2124K1 -G SOT- 23-3
VN2224N3-G
TO-92
TN5325N3-G
TO-92
TN5325K1 -G SOT- 23-3
TN2425N8 -G SOT- 89-3
TN2130K1 -G SOT- 23-3
VN3515L-G
TO-92
TN2535N8 -G SOT- 89-3
TN5335K1 -G SOT- 23-3
TN2435N8 -G SOT- 89-3
VN4012L-G
TO-92
TN2640LG -G SOIC - 8 （ N）
TN2640N3-G
TO-92
TN2540N3-G
TO-92
TN2540N8 -G SOT- 89-3
VN2450N3-G
TO-92
VN2450N8 -G SOT- 89-3
VN0550N3-G
TO-92
VN2460N3-G
TO-92
VN2460N8 -G SOT- 89-3
240
240
240
250
250
250
300
350
350
350
350
400
400
400
400
400
500
500
500
600
600
SUPERTEX ñ & P沟道增强型MOSFET
♦
♦
TC2320TG-G
TC6320TG-G
SOIC-8
SOIC-8
200/-200
200/-200
0.6/-1.0 2.0/-2.4
1.0/-1.0 2.0/-2.4
7/12
7/8
1.0/-0.2
1.0/-1.0
110/125
110/200
20/10
10/10
25/20
20/20
欲订购2000只及以上，请致电问询。
-----
-----
1.77
1.86
1.47
1.55
1.36
1.43
1.30
1.37
SUPERTEX耗尽型N沟道MOSFET
先进的垂直DMOS技术N沟道耗尽型垂直的DMOS场效应管
这些耗尽模式（常开）晶体管采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅的制造工艺。这种结合产生器件与功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和固有的MOS器件的正温度系数。所有MOS结构的特性，这些设备是无热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于很宽范围的开关和放大的应用场合的高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容，和快速的开关速度是期望的。
产品特点：
•
•
•
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
•
•
•
应用范围：
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
•
•
•
常通开关
固态继电器
转换器
•
•
•
恒流源
电源电路
电信
欲订购2000只及以上，请致电问询。
商Mouser
库存号
Supertex公司
产品型号
包
TYPE
漏极至源极漏极 - 源
漏 - 源
击穿
导通状态
当前
电压
阻力
BV
DSX
MIN 。 （V ）
R
DS （ ON）
最大。 （ Ω ）
6
10
25
60
20
20
I
DSS
分钟。 （MA ）
300
200
150
120
200
200
栅极 - 源
截止电压
V
GS （ OFF ）
MIN 。 （V ）
-1.5
-1.5
-1.5
-1.5
-1.5
-1.5
MAX 。 （V ）
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
反向
动力
恢复
耗散
时间
T
rr
典型值（ NS ）
800
800
800
800
800
800
@TA=25°C
(W)
1.6
1.6
15
1.3
.74
1.6
1
.80
.82
1.60
.82
.82
.89
单价
100
.66
.68
1.33
.68
.68
.74
500
.61
.63
1.23
.63
.63
.69
1000
.59
.60
1.18
.60
.60
.66
♦
♦
♦
♦
DN3525N8-G
DN3535N8-G
DN2540N5-G
DN3145N8-G
DN3545N3-G
DN3545N8-G
SOT-89-3
SOT-89-3
TO-220
SOT-89-3
TO-92
SOT-89-3
250
350
400
450
450
450
先进的横向DMOS技术N沟道耗尽型MOSFET
该LND1和LND2是高压N沟道耗尽模式（常开）
晶体管采用Supertex公司的横向DMOS技术。门是ESD保护。
该LND1和LND2非常适合于常在地区高电压应用
开关，精密的恒流源，电压斜坡生成和
放大器阳离子。
产品特点：
应用范围：
•
•
•
•
高输入阻抗和低CISS
低功耗驱动要求
ESD保护门
易于并联的
•
•
•
无二次击穿
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
•
•
•
200
200
200
常通开关
固态继电器
转换器
•
•
•
恒流源
电源电路
输入保护电路
欲订购2000只及以上，请致电问询。
♦
♦
LND150N3-G
LND150N8-G
LND250K1-G
TO-92
SOT-89-3
SOT-23-3
500
500
500
1000
1000
1000
1
1
1
-1
-1
-1
-3
-3
-3
.74
1.6
.36
.55
.72
.46
.46
.60
.38
.42
.55
.35
.41
.53
.34
SUPERTEX N沟道的IGBT （绝缘栅双极晶体管）， MOSFET的
欲订购2000只及以上，请致电问询。
商Mouser
库存号
Supertex公司
产品型号
包
TYPE
集热器
辐射源
击穿
电压
MIN 。 （V ）
700
集热器
当前
最大。 （ A）
1
动力
耗散
@25°C
最大。 （W）的
2.5
栅极阈值
电压
MIN 。 （V ）
1.5
MAX 。 （V ）
3.5
延迟时间
MIN 。 （V ）
15
MAX 。 （V ）
50
上升/下降
时
马克斯。 （纳秒）
600/12000
1
.84
单价
100
.70
500
.64
1000
.62
♦
© 2007年版权所有在Mouser Electronics
GN2470K4-G
TO-252
© 2007年版权所有在Mouser Electronics
448
(800) 346-6873
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
