TN2425TG
低门槛双N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
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双N沟道器件
低门槛 - 2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 200pF的
快速开关速度
低帽导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
Supertex公司TN2425TG是双低门槛
增强模式(常关)晶体管利用
垂直DMOS结构和Supertex公司的很好的证明
硅栅的制造工艺。这种组合
产生装置与所述功率处理能力
双极型晶体管,具有高输入阻抗和
正温度COEF网络cient固有的MOS器件。
所有MOS结构的特点,该设备是免费的
从热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压,高的击穿电压,高
输入阻抗,低输入电容,和快速开关
速度是需要的。
应用
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逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
医用超声脉冲发生器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
设备
TN2425TG
封装选项
8引脚SOIC (窄体)
TN2425TG
BV
DSS
/ BV
DGS
250V
R
DS ( ON)
(最大)
3.5Ω
V
GS ( TH)
(最大)
2.0V
I
D(上)
(分钟)
1.8A
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
热阻,
结到漏极引线
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
50°C/W
引脚CON组fi guration
S1
1
8
D1
G1
2
7
D1
S2
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
3
6
D2
G2
4
5
D2
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注: 1 。
为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
8引脚SOIC
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