TN2640
TN2640
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
400V
†
R
DS ( ON)
(最大)
5.0Ω
V
GS ( TH)
(最大)
2.0V
I
D(上)
(分钟)
2.0A
订单号码/套餐
SO-8
TN2640LG
TO-92
TN2640N3
DPAK
TN2640K4
DIE
†
TN2640ND
MIL视觉筛选可用。
特点
❏
低门槛 - 2.0V最大。
❏
高输入阻抗
❏
低输入电容
❏
快速开关速度
❏
低导通电阻
❏
无二次击穿
❏
低输入和输出泄漏
❏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式(常关),晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构,这些设备是无热失控和
热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压,高的击穿电压,高输入阻抗,低输入
电容,和快速的开关速度是期望的。
应用
❏
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
❏
固态继电器
❏
电池供电系统
❏
光伏驱动器
❏
模拟开关
❏
通用线路驱动器
❏
电信交换机
封装选项
D( TAB )
G
S
SGD
TO-92
TO-252
( D- PAK )
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
NC
NC
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
顶视图
SO-8
注:请参阅尺寸封装外形部分。
12/19/01
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