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TN2640N3 参数 Datasheet PDF下载

TN2640N3图片预览
型号: TN2640N3
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 462 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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TN2640
热特性
TO-92
SO-8
DPAK
I
D
(连续) *
220mA
260mA
500mA
I
D
(脉冲的)
2.0A
2.0A
3.0A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
1.3W
2.5W
θ
jc
°
C / W
125
24
6.25
θ
ja
°
C / W
170
96
50
I
DR
*
220mA
260mA
500mA
I
DRM
2.0A
2.0A
3.0A
* I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板, 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
400
0.8
-2.5
2.0
-4.0
100
10
1.0
I
D(上)
R
DS ( ON)
∆R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
1.5
2.0
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
200
330
180
35
7.0
4.0
15
20
22
225
70
25
15
20
25
27
0.9
V
ns
V
GS
= 0V时,我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时,我
SD
= 1.0A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 2.0A,
R
= 25Ω
pF
3.5
4.0
3.2
3.0
5.0
5.0
0.75
%/°C
m
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
µA
mA
A
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.0毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5.0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ,我
D
= 100毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1.0 MHz的
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
10%
t
(上)
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.