TN5325
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
250V
R
DS （ ON）
（最大）
7.0Ω
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
I
D（上）
（分钟）
1.2A
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN5325K1
TO-92
TN5325N3
TO-243AA**
TN5325N8
产品标识为SOT- 23 ：
N3C❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
**出货2,000片载带和卷轴。
产品标识为TO- 243AA
特点
❏
低门槛 - 2.0V最大。
❏
无二次击穿
❏
低功耗驱动要求
❏
低C
国际空间站
和快速开关速度
❏
优良的热稳定性
❏
高输入阻抗和高增益
❏
互补N和P沟道器件
TN3C❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
❏
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
❏
固态继电器
❏
电池供电系统
❏
光伏驱动器
❏
模拟开关
❏
通用线路驱动器
❏
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
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做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
S摹ð
G
D
S
D
G
S
D
TO-92
TO-243AA
(SOT-89)
TO-236AB
(SOT-23)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
1
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
