TN5335
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
350V
*
同SOT- 89 。
R
DS （ ON）
（最大）
15Ω
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
I
D（上）
（分钟）
750mA
订单号码/套餐
TO-236AB
TN5335K1
TO-243AA*
TN5335N8
晶圆
TN5335NW
产品供应在2000年一块载带卷盘。
特点
❏
低门槛 - 2.0V最大。
❏
高输入阻抗
❏
低输入电容
❏
快速开关速度
❏
低导通电阻
❏
无二次击穿
❏
低输入和输出泄漏
产品标识为SOT- 23
产品标识为TO- 243AA
N3S❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
TN3S❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
❏
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
❏
固态继电器
❏
电池供电系统
❏
光伏驱动器
❏
模拟开关
❏
通用线路驱动器
❏
电信交换机
❏
调制解调器挂机开关
封装选项
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
D
G
的s
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
S
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-243AA
(SOT-89)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
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Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
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SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
