欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TP2502N8 参数 Datasheet PDF下载

TP2502N8图片预览
型号: TP2502N8
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 456 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
 浏览型号TP2502N8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TP2502N8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TP2502N8的Datasheet PDF文件第4页  
TP2502
热特性
I
D
(连续) *
-630mA
I
D
(脉冲的)
-3.3A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
TO-243AA
θ
jc
θ
ja
I
DR
*
-630mA
I
DRM
-3.3A
°
C / W
15
°
C / W
78
1.6W
* I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板, 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
-20
-1.0
3.0
-2.4
4.5
-100
-100
-10
I
D(上)
R
DS ( ON)
∆R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
注意事项:
1,所有的DC参数,除非另有说明100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
µA
mA
A
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5.0V, V
DS
= -15V
V
GS
= -10V, V
DS
= -15V
V
GS
= -5.0V ,我
D
= -250mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -1.0A
V
GS
= -10V ,我
D
= -1.0A
V
DS
= -15V ,我
D
= -1.0A
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
F = 1.0 MHz的
通态漏电流
-0.4
-2.0
-0.7
-3.3
2.0
1.5
0.75
3.5
2.0
1.2
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.3
%/°C
0.65
125
70
25
10
11
15
12
-1.3
300
-2.0
pF
ns
ns
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
(上)
R
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
输入
t
D(上)
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
V
V
DD
= -20V,
I
D
= -1.0A,
R
= 25Ω
V
GS
= 0V时,我
SD
= -1.5A
V
GS
= 0V时,我
SD
= -1.5A
D.U.T.
产量
R
L
V
DD