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TP2540 参数 Datasheet PDF下载

TP2540图片预览
型号: TP2540
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 481 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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TP2535
TP2540
低门槛
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-350V
-400V
R
DS ( ON)
(最大)
25Ω
25Ω
V
GS ( TH)
(最大)
-2.4V
-2.4V
I
D(上)
(分钟)
-0.4A
-0.4A
订单号码/套餐
TO-92
TP2535N3
TP2540N3
TO-243AA*
TP2540N8
DIE
TP2540ND
*
同SOT- 89 。
产品供应在2000年一块载带卷盘。
MIL视觉筛选可用。
产品标识为TO- 243AA
特点
低门槛 - -2.4V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 125pF最大。
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
TP5D❋
哪里
= 2个星期的α-日期代码
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式(常关),晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构,这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压,高的击穿电压,高输入阻抗,低输入
电容,和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
G
D
S
S摹ð
TO-243AA
(SOT-89)
TO-92
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
注:请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任,并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的,由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更,恕不另行通知。有关最新的产品规格,请参阅
Supertex公司网站: http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息,请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
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